අර්ධ සන්නායක පීඩන සංවේදක කාණ්ඩ දෙකකට බෙදිය හැකිය, එකක් අර්ධ සන්නායක PN හන්දියේ (හෝ schottky හන්දිය) I-υ ලක්ෂණ ආතතිය යටතේ වෙනස් වන මූලධර්මය මත පදනම් වේ. මෙම පීඩන සංවේදී මූලද්රව්යයේ ක්රියාකාරිත්වය ඉතා අස්ථායී වන අතර එය විශාල වශයෙන් වර්ධනය වී නොමැත. අනෙක අර්ධ සන්නායක පීඩන සංවේදකයේ ප්‍රධාන ප්‍රභේදය වන අර්ධ සන්නායක piezoresistive ආචරණය මත පදනම් වූ සංවේදකයයි. මුල් කාලයේ අර්ධ සන්නායක වික්‍රියා මාපක බොහෝ දුරට ප්‍රත්‍යාස්ථ මූලද්‍රව්‍යවලට සම්බන්ධ කර විවිධ ආතති සහ වික්‍රියා මනින උපකරණ සාදා ඇත. 1960 ගණන්වලදී, අර්ධ සන්නායක ඒකාබද්ධ පරිපථ තාක්ෂණය දියුණු කිරීමත් සමඟ, piezoresistive මූලද්රව්යයක් ලෙස විසරණ ප්රතිරෝධකයක් සහිත අර්ධ සන්නායක පීඩන සංවේදකයක් දර්ශනය විය. මෙම ආකාරයේ පීඩන සංවේදකය සරල සහ විශ්වාසදායක ව්‍යුහයක් ඇත, සාපේක්ෂ චලනය වන කොටස් නොමැත, සහ සංවේදකයේ පීඩන සංවේදී මූලද්‍රව්‍යය සහ ප්‍රත්‍යාස්ථ මූලද්‍රව්‍යය ඒකාබද්ධ කර ඇති අතර එමඟින් යාන්ත්‍රික ප්‍රමාදය සහ රිංගා යාම වළක්වන අතර සංවේදකයේ ක්‍රියාකාරිත්වය වැඩි දියුණු කරයි.

අර්ධ සන්නායකයේ Piezoresistive බලපෑම අර්ධ සන්නායක බාහිර බලයට සම්බන්ධ ලක්ෂණයක් ඇත, එනම්, ප්‍රතිරෝධකතාව (සංකේතය ρ මගින් නිරූපණය කෙරේ) එය දරන ආතතිය සමඟ වෙනස් වේ, එය piezoresistive effect ලෙස හැඳින්වේ. ඒකක ආතතියේ ක්‍රියාකාරිත්වය යටතේ ප්‍රතිරෝධයේ සාපේක්ෂ වෙනස්වීම piezoresistive සංගුණකය ලෙස හැඳින්වේ, එය π සංකේතයෙන් ප්‍රකාශ වේ. ρ/ρ = π σ ලෙස ගණිතමය වශයෙන් ප්‍රකාශ වේ.

σ ආතතිය නියෝජනය කරන තැන. ආතතිය යටතේ අර්ධ සන්නායක ප්‍රතිරෝධය නිසා ඇතිවන ප්‍රතිරෝධ අගය වෙනස් වීම (R/R) ප්‍රධාන වශයෙන් තීරණය වන්නේ ප්‍රතිරෝධක වෙනස් වීමෙනි, එබැවින් piezoresistive ආචරණයේ ප්‍රකාශනය R/R=πσ ලෙසද ලිවිය හැක.

බාහිර බලයේ ක්‍රියාකාරිත්වය යටතේ, අර්ධ සන්නායක ස්ඵටිකවල යම් ආතතියක් (σ) සහ වික්‍රියාවක් (ε) ජනනය වන අතර, ඒවා අතර සම්බන්ධය ද්‍රව්‍යයේ යංග්ගේ මාපාංකය (Y) මගින් තීරණය වේ, එනම් Y=σ/ε.

අර්ධ සන්නායක මත ඇති වික්‍රියා මගින් piezoresistive ආචරණය ප්‍රකාශ වන්නේ නම්, එය R/R=Gε වේ.

G යනු පීඩන සංවේදකයේ සංවේදීතා සාධකය ලෙස හැඳින්වේ, එය ඒකක වික්‍රියාව යටතේ ප්‍රතිරෝධක අගයේ සාපේක්ෂ වෙනස නියෝජනය කරයි.

අර්ධ සන්නායක piezoresistive ආචරණයේ මූලික භෞතික පරාමිතිය වන්නේ Piezoresistive සංගුණකය හෝ සංවේදීතා සාධකයයි. ඔවුන් අතර සම්බන්ධය, ආතතිය සහ ආතතිය අතර සම්බන්ධය මෙන්, ද්‍රව්‍යයේ යංග්ගේ මාපාංකය මගින් තීරණය වේ, එනම් g = π y.

ප්‍රත්‍යාස්ථතාවයේ අර්ධ සන්නායක ස්ඵටිකවල ඇනිසොට්‍රොපි නිසා, යංග්ගේ මාපාංකය සහ පයිසොරෙස්ටිව් සංගුණකය ස්ඵටික දිශානතිය සමඟ වෙනස් වේ. අර්ධ සන්නායක piezoresistive ආචරණයේ විශාලත්වය අර්ධ සන්නායකයේ ප්‍රතිරෝධකතාවට ද සමීපව සම්බන්ධ වේ. ප්‍රතිරෝධය අඩු වන තරමට සංවේදීතා සාධකය කුඩා වේ. විසරණ ප්රතිරෝධයේ piezoresistive බලපෑම තීරණය වන්නේ විසරණ ප්රතිරෝධයේ ස්ඵටික දිශානතිය සහ අපිරිසිදු සාන්ද්රණය මගිනි. අපිරිසිදු සාන්ද්‍රණය ප්‍රධාන වශයෙන් විසරණ ස්ථරයේ මතුපිට අපිරිසිදු සාන්ද්‍රණයට යොමු වේ.